人物简介
中文名： 郑耀宗
原 籍： 广东中山
国 籍： 中国
出生地： 香港
出生日期： 1939年2月9日
职 业： 教学科研工作者
毕业院校： 香港大学
主要成就： 1999年当选成为中国科学院院士
人物经历
1963年，毕业于香港大学，获理学士学位，之后赴加拿大留学。
1967年，获加拿大卑诗大学博士学位。
1989-1996年，任香港城市大学校长，
1996-2000年，任香港大学校长。
1999年，当选为中国科学院院士。
2000年9月，他因为“港大民调风波”，在多方压力下黯然辞去香港大学校长职务。
2005年5月31日，在广东实验中学校区报告厅，举行聘郑耀宗院士出任学校科学教育顾问的仪式，广东电视台和《广州日报》作了专题报道。同时，郑院士为师生们作《我的求学经历和做学问经验》专题讲座，并表示今后会经常到学校给同学作各种专题讲座，更希望能和同学们交朋友，为同学们的学习、研究提供帮助。
2007年6月8日，应中国科学院理化技术研究所的邀请，郑耀宗院士访问了该研究所，并向郑院士颁发了理化技术研究所客座教授的聘书。
2007年10月29日，建华基金会董事会主席郑耀宗先生一行访问天津大学，并考察了建华基金会与药学院合作共建的“美好未来”项目的进展情况，该项目主要针对大学生进行心理健康和生理健康培训。郑耀宗主席一行认真观看了培训，对培训所采取的生动活泼的寓教与乐的形式以及积极向上、富有教育意义的内容给予充分的肯定。
2008年1月5日，应厦门大学的邀请，郑耀宗教授专程前往厦门大学漳校区访问，并与出席师生在轻松愉悦的气氛中进行交流座谈。郑教授采取互动式的学习交流方法，与师生们分享了其丰富的人生经历，从“创新能力”、“领袖的培养和训练”、“学习的方法”、“就业与创建财富”四个。
科研成就
郑耀宗长期以来对金属－氧化硅－硅（MOS）系统及其器件物理和工艺技术进行了系统研究。发明了掺氯化氢硅氧化技术，解决了当时MOS器件和集成电路阈值电压漂移、不能稳定工作的难题，使MOS器件和电路的性能、可靠性和成品率大大提高。在国际上首先提出了MOS反型层载流子表面粗糙度散射理论，在MOS集成电路进入深亚微米阶段后，这一机理已成为决定MOS反型层载流子迁移率的主要因素，这是对MOS器件物理的一大发展。是较早开展氮化硅技术的研究者之一。在深亚微米器件模型研究工作中取得重要成果。
荣誉表彰
1999年，当选为中国科学院院士。
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