特斯拉明年将采用台积电 3nm 工艺制造 FSD 智能驾驶芯片

特斯拉确认参与台积电 3nm NTO 芯片设计定案，显示市场对先进半导体解决方案需求增长。特斯拉成为 N3P 客户，意在利用台积电尖端技术生产下一代 FSD 智能驾驶芯片。

台积电 N3P 制程将于 2024 年投产，性能提高 5%，能耗降低 5%-10%，芯片密度提高 1.04 倍。特斯拉与台积电此前合作包括 7nm Dojo D1 芯片和 5nm HW 4.0 芯片。

分析师预测，合作将使特斯拉成为台积电第七大客户，为其收入增长注入新动力。特斯拉与台积电合作凸显半导体进步在电动汽车和自动驾驶汽车中的关键作用。

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