三星研发全新内存技术 LLW DRAM

三星正在研发一种名为 LLW DRAM 的新型内存，具有低延迟、高带宽和低功耗特性。该内存特别适用于运行大型语言模型的设备，但其性能优势也适用于各种客户端工作负载。

LLW DRAM 采用宽 I/O、低延迟特性，带宽高达 128 GB/s，且功耗仅为 1.2pJ/bit。外界推测，LLW DRAM 可能借鉴了 GDDR6W 的技术，采用 Fan-Out 晶圆级封装（FOWLP）将多个 DRAM 器件集成到一个封装中。

预计该技术可用于 AI 边缘计算设备、智能手机、笔记本电脑和汽车领域。虽然三星未透露 LLW DRAM 的上市时间，但从其公开的性能预期来看，研发进程已接近尾声。

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