瑞萨电子宣布以 3.39 亿美元收购美国 Transphorm

1月15日消息，瑞萨电子宣布以每股 5.10 美元、总额 3.39 亿美元（约 24.34 亿元人民币）收购美国氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm,，相比 1 月 10 日的收盘价溢价约 35%。

官方表示，此次收购将使瑞萨获得 GaN 内部技术，从而扩展其在电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源、工业电源以及快速充电器 / 适配器等快速增长市场的业务范围。

GaN 可实现更高的开关频率、更低的功率损耗和更小的外形尺寸，从而实现更高效、更轻的结构以及更低的总体成本。根据行业研究，GaN 的需求预计每年将增长 50% 以上。

瑞萨表示，他们将采用 Transphorm 的汽车级 GaN 技术来开发新的增强型电源解决方案，例如用于电动汽车的 X-in-1 动力总成解决方案，以及面向计算、能源、工业和消费应用的解决方案。

瑞萨电子还表示，随着全球对高效电力系统的需求不断增加，相关产业正在向以碳化硅（SiC ）和 GaN 为代表的宽禁带（WBG ）材料过渡。

在此背景下，瑞萨宣布已建立一条内部 SiC 生产线，并签署了为期 10 年的 SiC 晶圆供应协议。

免责声明：本网站内容主要来自原创、合作伙伴供稿和第三方自媒体作者投稿，凡在本网站出现的信息，均仅供参考。本网站将尽力确保所提供信息的准确性及可靠性，但不保证有关资料的准确性及可靠性，读者在使用前请进一步核实，并对任何自主决定的行为负责。本网站对有关资料所引致的错误、不确或遗漏，概不负任何法律责任。任何单位或个人认为本网站中的网页或链接内容可能涉嫌侵犯其知识产权或存在不实内容时，应及时向本网站提出书面权利通知或不实情况说明，并提供身份证明、权属证明及详细侵权或不实情况证明。本网站在收到上述法律文件后，将会依法尽快联系相关文章源头核实，沟通删除相关内容或断开相关链接。