南亚科与铠侠合作开发垂直通道晶体管DRAM技术

极客网23日讯,南亚科与铠侠将将联合推出使用氧化物半导体的垂直晶体管DRAM技术,专注于降低功耗并实现极低的漏电流。该技术通过改进制造工艺来增强电路集成度,以满足高密度应用对能效和性能日益增长的需求,包括人工智能驱动的设备、后5G通信和物联网,为内存小型化和省电提供显著优势。
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